一、可控硅檢測(cè)儀產(chǎn)品介紹：

１、它可以測(cè)量小至TO-92封裝大至TO-3P封裝的各種電流等級(jí)的塑封單、雙向可控硅（晶閘管）。
２、專門設(shè)計(jì)了0-1O00uA的觸發(fā)電流量程，可以直接測(cè)量MCR100-6等微安級(jí)觸發(fā)電流的可控硅。
３、可以測(cè)量DIP-6、DIP-4封裝的過(guò)零和非過(guò)零檢測(cè)可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器。
４、可以測(cè)量200A以下的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊。
５、測(cè)試觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓時(shí)無(wú)需人工調(diào)節(jié)，可控硅插入測(cè)試座后儀器會(huì)自動(dòng)的調(diào)節(jié)至觸發(fā)值，并穩(wěn)定的顯示觸發(fā)電流 IGT / 觸發(fā)電壓 VGT。
６、測(cè)試可控硅耐壓參數(shù)時(shí)只需一次性調(diào)節(jié)好zui高輸出電壓值，以后每測(cè)一個(gè)管子只要按下高壓按鈕即可顯示該可控硅的耐壓值。

該儀器主要用于可控硅使用廠家對(duì)可控硅元件的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)、可控硅設(shè)備的維修之用。儀器還可以廣泛的應(yīng)用于對(duì)多種電子元器件的高低壓耐壓的測(cè)試。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、使用安全方便。

二、可控硅檢測(cè)儀主要技術(shù)性能
1、可控硅觸發(fā)電流IGT 測(cè)量范圍： 6—1000uA ，0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。
2、可控硅觸發(fā)電壓VGT測(cè)量范圍： 0—5V， 精度：≤5 % 。
3、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電流IFT測(cè)量范圍：0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。
4、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電壓VFT測(cè)量范圍：0—3V 精度：≤5 % 。
5、可控硅和可控硅光耦輸出端，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM/VRSM測(cè)量范圍： 0—2KV精度：≤3 % 。
6、可控硅和可控硅光耦輸出端，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM/VRRM測(cè)量范圍： 0—1.6KV精度：≤5 % 。

三、主要測(cè)試功能
1、全系列單雙向塑封可控硅觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT的測(cè)試，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM的測(cè)試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的測(cè)試。
2、DIP-6、DIP-4封裝的過(guò)零和非過(guò)零檢測(cè)可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器輸入LED端IFT / VFT的測(cè)試，輸出端可控硅正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM的測(cè)試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的測(cè)試。
3、電流在200A以內(nèi)，VDSM / VRSM在2KV以內(nèi)，觸發(fā)電流在120mA以內(nèi)的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊的觸發(fā)電壓IGT、觸發(fā)電流VGT的測(cè)試，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM的測(cè)試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的測(cè)試。
4、2KV以內(nèi)的各類二極管、三極管、達(dá)林頓管、整流橋、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT及各種模塊的耐壓測(cè)試。
5、2KV以內(nèi)的壓敏電阻、穩(wěn)壓管、雙向觸發(fā)二極管等電壓值的測(cè)試。